सेंसर प्रौद्योगिकी विकास के तीन ऐतिहासिक चरण
पहली पीढ़ी एक संरचनात्मक सेंसर है, जो संरचनात्मक पैरामीटर परिवर्तनों को समझने और संकेतों को परिवर्तित करने के लिए उपयोग करता है। उदाहरण के लिए: प्रतिरोध तनाव सेंसर, जो प्रतिरोध के परिवर्तन का उपयोग करता है जब धातु सामग्री विद्युत संकेत को परिवर्तित करने के लिए विकृत रूप से विकृत हो जाती है।
दूसरी पीढ़ी का सेंसर 1970 के दशक में विकसित एक सॉलिड-स्टेट सेंसर है। यह सेंसर अर्धचालक, डाइलेक्ट्रिक्स और चुंबकीय सामग्री जैसे ठोस-अवस्था के घटकों से बना है, और सामग्री के कुछ गुणों से बना है। जैसे: थर्मोइलेक्ट्रिक इफेक्ट, हॉल इफेक्ट, फोटोसेंसिटिव इफेक्ट, क्रमशः थर्मोकपल सेंसर, हॉल सेंसर, फोटोसेंसिटिव सेंसर और इतने पर।
1970 के दशक के अंत में, एकीकृत प्रौद्योगिकी, आणविक संश्लेषण प्रौद्योगिकी, माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक प्रौद्योगिकी और कंप्यूटर प्रौद्योगिकी के विकास के साथ, एकीकृत सेंसर दिखाई दिए। एकीकृत सेंसर दो प्रकार के होते हैं: स्वयं सेंसर का एकीकरण और सेंसर और उसके बाद के सर्किट का एकीकरण। उदाहरण के लिए: चार्ज कपल्ड डिवाइस (सीसीडी), इंटीग्रेटेड टेम्परेचर सेंसर एडी 590, इंटीग्रेटेड हॉल सेंसर यूजी 3501, आदि। इस प्रकार के सेंसर में मुख्य रूप से कम लागत, उच्च विश्वसनीयता, अच्छे प्रदर्शन और लचीले इंटरफेस की विशेषताएं होती हैं। एकीकृत सेंसर का विकास बहुत तेज है, और अब यह सेंसर बाजार का लगभग 2/3 हिस्सा है। यह कम कीमत, बहु-कार्य और क्रमांकन की ओर विकसित हो रहा है।
तीसरी पीढ़ी का सेंसर एक स्मार्ट सेंसर है जिसे अभी 1980 के दशक में विकसित किया गया था। तथाकथित बुद्धिमान सेंसर का मतलब है कि इसमें बाहरी जानकारी के लिए निश्चित पहचान, आत्म-निदान, डेटा प्रोसेसिंग और अनुकूली क्षमताएं हैं, और यह माइक्रो कंप्यूटर प्रौद्योगिकी और पहचान तकनीक के संयोजन का उत्पाद है। 1980 के दशक में, बुद्धिमान माप ने मुख्य रूप से माइक्रोप्रोसेसर को कोर के रूप में लिया, और सेंसर सिग्नल कंडीशनिंग सर्किट, माइक्रो कंप्यूटर, मेमोरी और इंटरफ़ेस को एक चिप में एकीकृत किया, ताकि सेंसर में एक निश्चित कृत्रिम बुद्धिमत्ता हो। 1990 के दशक में, बुद्धिमान माप तकनीक में और सुधार किया गया है, सेंसर स्तर पर बुद्धिमत्ता का एहसास होता है, ताकि इसमें स्व-निदान फ़ंक्शन, मेमोरी फ़ंक्शन, मल्टी-पैरामीटर माप फ़ंक्शन और नेटवर्क संचार फ़ंक्शन हो।
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